
控制侧:TTL / 光纤信号输入,光电隔离,抗干扰能力较强,时序控制精准
功率侧:多芯片串联均压、并联均流,实现高耐压与大电流输出
保护与驱动:独立栅极驱动、过流 / 过压 / 过热保护及故障反馈,保证全工况稳定运行
上升时间低至0.8 ns
导通延迟<10 ns,抖动100–500 ps
连续工作频率高3 MHz,突发频率可达10 MHz
满足激光调制、脉冲功率、粒子加速等对时序精度的较高要求。
工作电压:500 V–200 kV
峰值电流:15 A–16,000 A
di/dt 高32 kA/μs
电气隔离高200 kVDC
可适配阻性、容性、感性负载,满足高冲击、高陡度脉冲工况。
无机械磨损,开关寿命达亿次级
工作温度:-40℃~+70℃(部分型号至 85℃)
支持自然冷却、风冷、液冷,适配高功率密度应用
典型 MTBF>10000 小时,提供5 年质保
TTL / 光纤触发,可直接对接 PLC、DCS、FPGA
支持固定 / 可变导通时间,AC/DC 双向切换
半桥 / 全桥推挽拓扑,无需外接工作电阻
内置 EMC 滤波,电磁干扰较低,系统集成简便
| 系列 | 核心器件 | 电压范围 | 典型优势 | 适用场景 |
|---|---|---|---|---|
| HTS | 高压 MOSFET/IGBT | 1–20 kV | 快沿、低抖动、高频 | 激光、普克尔盒、质谱、科研脉冲 |
| SCR | 高压晶闸管 | 1–150 kV | 大电流、高 di/dt、性价比高 | 工业脉冲、等离子体、Crowbar 保护 |
| SiC | 碳化硅 FET | 1–10 kV | 低损耗、耐高温、高效率 | 新能源、航空航天、高频脉冲电源 |
| GHTS/FHPP | 集成脉冲单元 | 1–80 kV | 开关 + 脉冲源一体化 | 医疗成像、无损检测、EMC 测试 |
激光与光电技术
作为 Q 开关、普克尔盒驱动、脉冲整形单元,输出纳秒级高压脉冲,有助于提升固体 / 光纤激光器的光束质量与重频稳定性。
科学研究
为粒子加速器、脉冲功率装置、等离子体实验、TOF 质谱提供高精度时序与高稳定脉冲输出。
工业与新能源
用于电力耐压 / 雷电冲击测试、储能系统高压故障隔离、光伏逆变器保护、半导体离子注入、材料改性等。
特种装备
适配雷达调制器、高功率微波源、航空航天点火与触发系统,满足恶劣环境与高可靠要求。
额定电压:按系统峰值电压1.5 倍以上预留裕量
峰值电流与 di/dt:根据负载特性与脉冲陡度匹配
开关速度:快沿优先 MOS/SiC 系列;大电流场景选 SCR 系列
控制方式:固定 / 可变导通时间、TTL / 光纤、单端 / 推挽按需选择
冷却与安装:高功率密度优先液冷;空间受限选用紧凑型模块
SiC 宽禁带半导体规模化应用,降低损耗,提升工作温度
内置数字控制与状态监测,实现温度、电流、电压实时监控与远程诊断
模块化堆叠设计,可扩展至百千伏 / 万安级系统
优化结构布局与屏蔽,降低电磁辐射,适配高精度电子设备环境
上一篇 : 没有了
下一篇 : AQ气泡传感器能及时预防因气泡引发的风险
